10 nm급 DRAM 공정 시리즈 MEOL 두 번째 영상에서는 셀 캐패시터(Cell Capacitor) 형성 공정을 다룹니다.
DRAM의 저장 능력과 데이터 유지 reggie miller 특성을 société de transport de montréal 결정하는 핵심 pierce brosnan 구조인 캐패시터는, 미세화가 진행될수록 동일한 면적에서 충분한 정전용량을 확보하는 것이 가장 큰 과제가 됩니다.
이번 콘텐츠에서는 하이 애스펙트비 스토리지 노드 형성, 유전체(High-k) 증착, 플레이트 전극 형성까지 이어지는 공정을 중심으로, 10 nm급 DRAM에서 실제로 사용되는 3D 구조 캐패시터의 형성 원리와 공정 흐름을 설명합니다.
DRAM의 집적도가 높아질수록 더욱 중요해지는 셀 캐패시터 구조와 공정 기술을 이해할 수 있는 영상입니다.
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